Silicon Integrated Systems (SiS) и Rambus выступили с заявлением, в котором говорится о том, что в будущих чипсетах PCI Express производства SiS будут использоваться разработки Rambus по реализации физического уровня (PHYsical Transport Medium, PHY) высокоскоростных соединений. Согласно условиям лицензионного соглашения, SiS получает возможность использовать технологии Rambus PCI Express PHY, для построения на их основе чипов северных и южных мостов, оптимизированных по использованию соединений, латентности, энергопотреблению и занимаемой на подложке площади. Технологии Rambus PCI Express PHY обеспечивают возможность организации высокоскоростных полнодуплексных и управляемых соединений точка-точка. Предлагаются варианты для применения с различными техпроцессами – от 180 до 65 нм. Эти решения существуют не только на бумаге, но также были уже успешно воплощены «в кремнии». Rambus продемонстрировала также разработки платформы Turbo PCI Express, позволяющей организовывать последовательные соединения с пропускной способностью 5,0 Гбит/с и 6,25 Гбит/с, которые окажутся востребованными по мере дальнейшего развития PCI Express. 3dnews
28.10.2005