Компания KARIN Компьютеры, комплектующие, периферийные устройства, оргтехника, сетевое оборудование, корпуса. 127254, г. Москва, Огородный проезд, 5 стр. 6 +74957907125 info@karin.ru
Компьютерное оборудование
Программное обеспечение
Бытовая техника

Intel осваивает процесс производства Ultra-Low Power

Корпорация Intel разрабатывает на основе 65-нм технологии производственный процесс для решений с низким энергопотреблением, который позволит создавать экономичные процессоры для мобильных платформ и компактных устройств. Решения, созданные по 65-нм технологии Intel, превосходят ныне используемый корпорацией 90-нм техпроцесс по производительности и по энергопотреблению. 65-нм технология предоставит инженерам Intel дополнительные возможности для более плотного размещения компонентов для повышения производительности и снижения энергопотребления, чему будут только рады все потребители — как пользователи настольных ПК, так и пользователи мобильных компьютеров. Одним из факторов, способствующих снижению энергопотребления процессоров, является оптимизация структуры транзистора. «Число транзисторов, интегрируемых в некоторые микросхемы, уже превышает один миллиард, и никто из нас не сомневается в том, что оптимизация, выполненная на уровне отдельных транзисторов, может вылиться в огромные преимущества на уровне целой системы, — говорит Марк Бор (Mark Bohr), инженер Intel, директор отделения Process Architecture and Integration. — Тестовые микросхемы, изготовленные нами с использованием 65-нм производственной технологии Intel со сверхнизким энергопотреблением, показали, что благодаря ей утечка электричества снижается примерно в тысячу раз в сравнении с нашим стандартным производственным процессом. Это позволит нам создавать устройства, потребляющие значительно меньше энергии». 65-нм технология Intel включает в себя несколько важных изменений, которые позволят производить экономичные электронные компоненты, обладающие хорошими показателями производительности. Эти изменения значительно сокращают три основных вида утечки носителей заряда в транзисторах: субпороговую утечку, утечку через переходы и утечку через оксидный слой затвора, — что снижает энергопотребление и продлевает срок автономной работы систем. ixbt.com
26.09.2005