Samsung представила планы на производство модулей памяти UtRAM Pseudo SRAM, это будут первые подобные чипы компании. Память предназначена для использования в сотовых телефонах третьего поколения, для быстрой обработки мультимедийных приложений. Модули UtRAM, больше известные как Pseudo SRAM, построены на одном транзисторе, повторяя структуру ячейки памяти DRAM, но имеют отличный интерфейс, потребляют меньше энергии и собраны из меньшего числа компонентов. В результате, размер чипов может быть очень небольшим, что делает их подходящими для использования в мобильных устройствах. Samsung будет производить UtRAM по 90-нм техническому процессу с наибольшей на сегодняшней день ёмкостью в 256 МБ. Память совместима со спецификациями JEDEC и работает на частоте 133 МГц, что в 1,7 раза быстрее микросхем PSRAM на 80 МГц. Конвейеры начнут свою работу над UtRAM в конце сентябре, а в продажу модули поступят в конце 2005. Мировой рынок псевдо-SRAM к 2008 году вырастет на 33 %, и Samsung в этом сегменте планирует занять треть всего объёма. 3dnews
09.09.2005