На симпозиуме по СБИС (VLSI Circuits Symposium), недавно прошедшем в Киото, исследователи из IBM продемонстрировали прототип встроенной в чип памяти SRAM, способной стабильно работать на частоте 6 ГГц. Это приблизительно вдвое превышает максимальные возможности ранее созданных схем памяти этого типа. Наиболее часто встроенная память типа SRAM используется как быстродействующее устройство хранения для данных, к которым часто обращается процессор. С ростом производительности чипов и переходом на все более «тонкие» технологии изготовления при конструировании схем статической памяти все сложнее обеспечивать их гарантированно стабильную работу. Одна из хорошо известных проблем – возможность нежелательного воздействия на состояние ячейки памяти в процессе «полувыборки» (half select), то есть, когда на самом деле происходит обращение к ячейке в одной «строке» или «столбце». Для борьбы с этим явлением исследователи из IBM предложили усложнить традиционную схему ячейки на базе шести транзисторов (6T SRAM) добавлением еще двух (8T SRAM), надежно обеспечивающих обращение к ячейке только при действительной ее выборке и наличии обоих соответствующих сигналов. Кроме усложнения схемы ячеек, конструкторы предусмотрели в чипе также дополнительные функциональные блоки, позволяющие определять внутренние параметры сигналов, что дает возможность производить автокалибровку и с большой точностью определять максимальную частоту, при которой будет обеспечиваться стабильная работа. Согласно данным исследователей, полученные ими результаты говорят о возможности созданных схем SRAM работать на частоте 6,6 ГГц и даже более того. Продемонстрированный чип был произведен по 65-нм техпроцессу «кремний-на-изоляторе», в структуре были использованы технологические решения с применением алюминия, вольфрама и меди. Сообщается, что создание микросхемы сопровождалось получением 114 патентов, и еще несколько находятся на стадии оформления. 3dnews
13.07.2007