Как сообщает тайваньский ресурс Digitimes, чипы и модули памяти стандарта DDR3 производства Hynix Semiconductor прошли сертификацию, которую проводила компания Intel. В сертификационных испытаниях участвовали чипы DDR3 SDRAM плотностью 1 Гбит, произведенные по 80-нм проектным нормам, а также построенные на их базе модули небуферизированной памяти емкостью 1 и 2 Гб. Тестируемые образцы успешно работали на частоте 800 МГц при таймингах 5-5-5 и 6-6-6, а также на частоте 1066 МГц с задержками 7-7-7. Напомним, что для DDR3-памяти стандартное рабочее напряжение питания понижено до 1,5 В, при этом также понижено потребление тока на 25% по сравнению с DDR2. Для уменьшения токов утечки и повышения энергоэффективности в своих чипах Hynix использует технологию трехмерных транзисторов (three-dimensional transistor). Массовое производство гигабитных чипов по 80-нм нормам начнется в третьем квартале этого года. К концу 2007 года Hynix планирует освоить 66-нм техпроцесс. Напоследок отметим, что, согласно аналитическому агентству iSuppli, модули типа DDR3 к концу следующего года займут 25% от всего объема продаж DRAM-памяти. Доминирование DDR3 на рынке ожидается уже к 2010 году. 3dnews
02.05.2007